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Si6975DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
4000
0.08
0.06
V GS = 1.8 V
3200
2400
C iss
0.04
0.02
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1600
800
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 5.1 A
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 5.1 A
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.08
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 5.1 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71319
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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